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Si4126DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
70
56
42
2 8
14
V GS = 10 thr u 3 V
5
4
3
2
1
T C = 125 °C
T C = 25 °C
0
0
T C = - 55 °C
0
1
2
3
4
5
0.0
0. 8
1.6
2.4
3.2
4.0
0.0030
0.002 8
0.0026
0.0024
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
5500
4400
3300
2200
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.0022
0.0020
1100
0
C rss
C oss
0
14
2 8
42
56
70
0
6
12
1 8
24
30
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1.7
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 20 A
V DS = 10 V
1.5
I D = 15 A
V GS = 10 V
6
V DS = 15 V
1.3
4
2
0
V DS = 20 V
1.1
0.9
0.7
V GS = 4.5 V
0.0
14.4
2 8 . 8
43.2
57.6
72.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 69994
S-80895-Rev. B, 21-Apr-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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